Mengutip GSM Arena, HBM4E atau High Bandwidth Memory 4 Enhanced merupakan pengembangan dari teknologi HBM4 yang sebelumnya mulai diproduksi massal oleh Samsung pada awal tahun 2026 lalu.
Memori jenis ini dirancang untuk memenuhi kebutuhan bandwidth tinggi pada akselerator AI, server AI, dan sistem komputasi yang digunakan untuk menjalankan model bahasa besar (LLM) maupun beban kerja AI skala besar.
Samsung menyebut HBM4E terbaru menawarkan peningkatan performa lebih dari 20% dibandingkan dengan generasi HBM4 sebelumnya. Memori tersebut mampu mencapai kecepatan pin hingga 16 Gbps, dengan kecepatan operasional stabil di angka 14 Gbps.
Bandwidth yang dihasilkan mencapai hingga 3,6 terabyte per detik (TB/s) per stack, memungkinkan pemrosesan data AI berlangsung lebih cepat dan efisien. Dari sisi kapasitas, Samsung menghadirkan konfigurasi awal 48GB melalui desain 12-layer.
Kapasitas tersebut meningkat lebih dari 30% dibandingkan dengan generasi sebelumnya. Perusahaan juga berencana menghadirkan varian 32GB dengan desain 8-layer dan model 64GB menggunakan konfigurasi 16-layer untuk memenuhi kebutuhan pelanggan yang berbeda-beda.
HBM4E dibangun menggunakan teknologi DRAM generasi keenam kelas 10 nanometer atau 1c DRAM milik Samsung yang dipadukan dengan logic base die 4nm dari Samsung Foundry. Kombinasi tersebut diklaim memberikan stabilitas manufaktur lebih baik sekaligus meningkatkan efisiensi daya dan performa keseluruhan.
Selain peningkatan kecepatan dan kapasitas, Samsung juga mengoptimalkan efisiensi energi pada HBM4E. Perusahaan mengklaim konsumsi daya menjadi sekitar 16% lebih efisien dibandingkan dengan generasi sebelumnya.
Karakteristik termal atau pembuangan panas juga meningkat lebih dari 14%, memungkinkan penggunaan lebih stabil pada pusat data AI dengan beban kerja tinggi. Pengiriman sampel HBM4E dilakukan hanya beberapa bulan setelah Samsung mulai mengirimkan HBM4 kepada pelanggan pada bulan Februari 2026.
Percepatan jadwal tersebut menunjukkan upaya Samsung untuk memperkuat posisinya di pasar memori AI yang saat ini didominasi oleh SK Hynix dan semakin kompetitif dengan kehadiran Micron. Pelanggan Samsung untuk memori AI mencakup sejumlah perusahaan besar seperti NVIDIA, AMD, dan Google.
Permintaan terhadap memori HBM terus meningkat karena menjadi komponen penting dalam akselerator AI dan server yang digunakan untuk melatih serta menjalankan model AI modern. Samsung menyatakan produksi massal HBM4E akan dimulai setelah proses evaluasi dan optimasi bersama pelanggan selesai dilakukan.
Jika berhasil memperoleh sertifikasi dan validasi dari pelanggan utama, HBM4E berpotensi menjadi salah satu produk kunci Samsung dalam upaya merebut kembali pangsa pasar memori AI global. Sementara itu, menurut data Counterpoint Research, SK Hynix masih memimpin pasar HBM global dengan pangsa sekitar 57% pada akhir tahun 2025.
Samsung berada di posisi kedua dengan sekitar 22%, sementara Micron menguasai sekitar 21% pasar. Kehadiran HBM4E diharapkan dapat membantu Samsung memperkuat daya saingnya dalam persaingan industri memori AI yang terus berkembang pesat.
Cek Berita dan Artikel yang lain di
Google News
(MMI)
