Pantau - Peneliti China menemukan terobosan baru dalam peningkatan densitas penyimpanan material feroelektrik melalui identifikasi struktur mikroskopis baru, sebagaimana dipublikasikan dalam jurnal Science pada Jumat, 23 Januari 2026.
Studi tersebut dilakukan oleh tim peneliti dari Institut Fisika di bawah Akademi Ilmu Pengetahuan China di Beijing.
Terobosan dicapai dengan mengidentifikasi dinding domain bermuatan satu dimensional pada material feroelektrik berstruktur fluorit.
Dinding domain ini memiliki ukuran yang sangat kecil dengan ketebalan dan lebar hanya sepersekian ratus ribu dari diameter rambut manusia.
Penemuan tersebut membuka peluang pengembangan perangkat penyimpanan generasi baru dengan densitas yang jauh lebih tinggi dibanding teknologi saat ini.
Material feroelektrik dinilai memiliki peran penting dalam teknologi masa depan, khususnya pada bidang penyimpanan data, penginderaan, dan kecerdasan buatan.
Penyimpanan informasi pada dinding domain satu dimensional disebut mampu meningkatkan kapasitas penyimpanan hingga ratusan kali lipat.
Batas teoretis densitas penyimpanan diperkirakan mencapai sekitar 20 terabita per sentimeter persegi.
Kapasitas tersebut setara dengan penyimpanan sekitar 10.000 film berdefinisi tinggi atau sekitar 200.000 video pendek berdefinisi tinggi.
Seluruh data tersebut berpotensi disimpan dalam perangkat berukuran tidak lebih besar dari sebuah prangko.
Dokumentasi penelitian memperlihatkan pengujian kinerja feroelektrik yang dilakukan di laboratorium Institut Fisika Beijing.
Salah satu peneliti pascadoktoral, Zhong Hai, terlibat langsung dalam pengujian material feroelektrik tersebut.
Penelitian ini dinilai menjadi dasar ilmiah penting bagi pengembangan teknologi penyimpanan data ultratinggi pada perangkat masa depan.
